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文章來(lái)源 : 粵科檢測(cè) 發(fā)表時(shí)間:2025-04-27 瀏覽量:
元器件溫度篩選是通過(guò)模擬極端溫度環(huán)境,剔除存在潛在缺陷的電子元器件的重要流程。作為專業(yè)的第三方電子元器件篩選檢測(cè)機(jī)構(gòu),我們提供高溫貯存、溫度循環(huán)、三綜合測(cè)試等元器件溫度篩選服務(wù),幫助軍工、航空航天、汽車電子等領(lǐng)域用戶提升產(chǎn)品可靠性。
例如,針對(duì)進(jìn)口元器件或高精密半導(dǎo)體器件,通過(guò)溫度篩選可有效發(fā)現(xiàn)封裝缺陷、材料老化等問(wèn)題,降低產(chǎn)品失效率達(dá)1-2個(gè)數(shù)量級(jí),顯著提升批次質(zhì)量。
目的:
1. 剔除早期失效:通過(guò)加速暴露元器件在高溫、低溫交替下的潛在缺陷(如鍵合不良、氧化層開(kāi)裂)。
2. 適配極端環(huán)境:驗(yàn)證器件在衛(wèi)星導(dǎo)航、新能源汽車等場(chǎng)景下的耐溫性能。
3. 穩(wěn)定參數(shù)性能:減少使用中的參數(shù)漂移,延長(zhǎng)壽命。
原理:
- 高溫貯存:通過(guò)125℃~150℃高溫加速內(nèi)部化學(xué)反應(yīng),暴露材料缺陷。
- 溫度循環(huán):在-55℃~+125℃間快速切換,利用熱脹冷縮應(yīng)力檢測(cè)結(jié)構(gòu)弱點(diǎn)。
以下類別需重點(diǎn)關(guān)注:
1. 半導(dǎo)體集成電路:如航天級(jí)芯片、車規(guī)MCU,需通過(guò)熱真空測(cè)試、溫度沖擊驗(yàn)證可靠性。
2. 功率器件:IGBT模塊、新能源電控元件,需進(jìn)行溫度循環(huán)(5-10次)及雙85老化試驗(yàn)(85℃/85%濕度)。
3. 精密元件:晶振、傳感器等對(duì)溫度敏感的器件,需檢測(cè)初始頻率溫度精度。
權(quán)威檢測(cè)依據(jù)包括:
1. 國(guó)軍標(biāo)(GJB):
- GJB548B-2005(微電子器件試驗(yàn))
- GJB128A-1997(分立器件溫度循環(huán)方法)
2. 行業(yè)標(biāo)準(zhǔn):QJ 10003—2008(進(jìn)口元器件二次篩選)
3. 地方規(guī)程:DB6101-T 3138-2022(檢測(cè)服務(wù)流程規(guī)范)
1. 高溫貯存試驗(yàn):
- 條件:125℃~150℃,持續(xù)24小時(shí)至1周。
- 適用:半導(dǎo)體材料穩(wěn)定性驗(yàn)證。
2. 溫度循環(huán)試驗(yàn):
- 條件:-65℃~+150℃快速切換,循環(huán)5-10次。
- 設(shè)備:高低溫交變箱,符合GJB360B-2009標(biāo)準(zhǔn)。
3. 三綜合測(cè)試:
- 結(jié)合溫度、振動(dòng)、濕度多應(yīng)力,模擬復(fù)雜工況。
1. 需求溝通:提供器件型號(hào)、批次及篩選要求(如GJB標(biāo)準(zhǔn))。
2. 方案制定:實(shí)驗(yàn)室根據(jù)應(yīng)用場(chǎng)景定制項(xiàng)目(如溫度循環(huán)+離心加速度)。
3. 送樣檢測(cè):
- 外觀檢查(X射線、顯微鏡)。
- 環(huán)境應(yīng)力篩選(高溫、低溫、沖擊)。
4. 報(bào)告出具:
- 7-15工作日出具CNAS檢測(cè)報(bào)告。
- 提供失效分析及改進(jìn)建議(如DPA開(kāi)封檢測(cè)數(shù)據(jù))。
選擇具備軍標(biāo)檢測(cè)能力的第三方機(jī)構(gòu),可高效完成溫度篩選并獲取權(quán)威報(bào)告。若需了解具體服務(wù)報(bào)價(jià)或標(biāo)準(zhǔn)細(xì)節(jié),歡迎聯(lián)系我們!
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